مقایسه انتقال شبه بالستیک با نفوذ - رانش در ترانزیستورهای نانومتری
مواد نانوساختار ترانزیستورها با اثر میدان
مقایسه انتقال شبه بالستیک با نفوذ - رانش در ترانزیستورهای نانومتری
مواد نانوساختار ترانزیستورها با اثر میدان
اطلاعات تکمیلی
معرفی مختصر کتاب
با توجه به افزايش حجم اطلاعات و نياز به سرعت بيشتر، طراحي ترانزيستورهايي با فرکانس کاري بالا اجتنابناپذير است. يکي از راهکارهاي افزايش سرعت در ترانزيستورهاي اثر ميدان، کاهش ابعاد و طول مؤثر کانال است. علاوه بر اين، کاهش ابعاد ترانزيستورها باعث کوچکتر شدن مدارهاي مجتمع شده و کارايي قطعات افزايش مييابد. در اثر پيش رو انتقال شبه بالستيک با نفوذ- رانش در ترانزيستورهاي نانومتري مقايسه شده است.
