عملکرد و مدلسازی ترانزیستور MOS
نیمههادیهای اکسید فلزی مکمل - الگوهای ریاضی
عملکرد و مدلسازی ترانزیستور MOS
نیمههادیهای اکسید فلزی مکمل - الگوهای ریاضی
اطلاعات تکمیلی
معرفی مختصر کتاب
مخاطبان کتاب، ذیل ده فصل و سیزده ضمیمه با عملکرد و مدل سازی تزانزیستور ((MOS))آشنا میشوند .عناوین فصلهای کتاب عبارتاند از :((نیمه هادیها، اتصالات و پیوند ((PN، ((ساختار دو پایانهای ((MOS، ((ساختار سه پایهای ((MOS، ((ترانزیستورهای چهار پایانهای ((MOS، ((آثار کانال کوتاه و کانال باریک))، ((ترانزیستورهای MOSدارای کانال کاشت یونی))، ((عملکرد پویای ترانزیستور ((MOS، ((مدلسازی سیگنال کوچک برای فرکانسهای کم و متوسط))، ((مدلهای فرکانس بالای سیگنال کوچک)) و ((ساخت تزانزیستورهای .((MOSضمایم کتاب نیز مقدمهای است بر مفاهیم نوارهای انرژی، قوانین اساسی الکترواستاتیک و موضوعات عمومی مربوط به این مقوله .
